莱布莱比吉编撰的《高频CMOS模拟集成电路基础（影印版）》是一本以设计为主线，从基础模拟电路的理论介绍到射频集成电路的研发实践的教材。该书系统地探讨了高频集成电路体系的构建与运作过程，特别是晶体管级电路的工作原理，包括设备性能的影响因素以及在时域和频域输入输出特性方面的详细讲解。

此书适用于电子信息专业高年级本科生及研究生，作为RFCMOS电路设计课程的主要参考资料。对于模拟电路和射频电路的工程师，它同样是一份实用的参考书籍，能够提供深入的技术指导。

MOS管，全称为金属-氧化物-半导体场效应晶体管，是电子器件的一种，source和drain这两个端子是可以互换的，它们都是在P型backgate中形成的N型区域。即使两者对调，设备的性能也不会受到影响，因此被称为对称器件。

场效应晶体管，作为单极型晶体管，主要由多数载流子参与导电，它是一种电压控制型的半导体器件，拥有高输入电阻（约为10^8至10^9欧姆）、低噪声、低功耗等优势。在现代电路设计中，它已经成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争对手。

最后，基尔霍夫定律是德国物理学家基尔霍夫的重要贡献，是电路理论的基础定律。它包括基尔霍夫电流定律（KCL）和基尔霍夫电压定律（KVL），这两者概括了电路中电流和电压的基本行为规律，对于理解和设计电路至关重要。

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文章来源：天狐定制

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