安培力是洛伦兹力在宏观上的体现，其成因复杂，涉及电子运动、磁场效应和导线结构等多个方面。当电子在磁场中运动时，会受到洛伦兹力F=eV×B的作用，这力与电子的运动方向垂直，因此不会做功。但是，当电子在导线中运动时，由于导线边缘的晶格作用，电子的侧向运动被阻止，从而聚集在导线的一侧，产生霍尔效应。这种情况下，聚集在导线一侧的电荷会产生一个与洛伦兹力方向垂直的电场，这个电场与洛伦兹力相平衡，使电子不再偏转。导线中的电子受到洛伦兹力、霍尔效应电场力以及电源电动势的三重作用，霍尔效应电场力由导线提供，从而使导线受到电子的反作用力。

导线受到的合力可表示为∑f=n*s*L*f=n*s*L*eV×B=I*L×B，当磁场与导线垂直时，安培力的表达式为F’=ILB。这一力的方向与导线内部电子的移动方向垂直，因此对电子不做功。然而，安培力沿着导线径向方向，通过电子将力作用于导线上，使导线产生侧向运动，即对导线做功。

理解这一点的关键在于，判断一个力是否做功，需要看其方向与位移方向的夹角。尽管洛伦兹力本身不会做功，但安培力在宏观上可以对导线做功，因为它沿着导线径向方向，通过电子将力传递给导线，导致导线侧向运动。

通过以上分析，我们可以看到，虽然洛伦兹力不会直接做功，但安培力作为其宏观表现形式，可以通过导线传递力，对导线产生实际的运动效果。因此，安培力可以做功。

具体来说，当电流通过导线且导线置于磁场中时，电子会受到洛伦兹力的作用。由于导线边缘的晶格作用，电子的侧向运动被阻止，从而在导线一侧聚集，产生霍尔效应。聚集在导线一侧的电荷会产生一个与洛伦兹力方向垂直的电场，这个电场与洛伦兹力相平衡，使电子不再偏转。

导线受到的合力为∑f=n*s*L*f=n*s*L*eV×B=I*L×B，当磁场与导线垂直时，安培力表达式为F’=ILB。这一力的方向与导线内部电子的移动方向垂直，因此对电子不做功。然而，安培力沿着导线径向方向，通过电子将力作用于导线上，使导线产生侧向运动，即对导线做功。

综上所述，安培力之所以可以做功，是因为它在宏观上通过导线传递力，导致导线产生实际的运动效果。因此，尽管洛伦兹力本身不会直接做功，但安培力作为其宏观表现形式，可以对导线产生实际的运动效果。

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